HJTを選ぶ理由
HJT電池は、結晶シリコンと薄膜技術の利点を兼ね備えた次世代の太陽電池です。HJTは、光吸収性とパッシベーション効果の両面においてTOPConを上回り、優れた変換効率と高性能を実現します。変換効率と出力を極限まで高めることができるため、HJTは太陽光発電技術の今後の主流となるプラットフォームの方向性を示しています。
華晟のHJT
HJT技術の可能性
Pタイプ
Nタイプ
HJT技術の利点
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より高い変換効率HJT太陽電池は、ウェハー端部での損失を低減するために、パッシベーション材料としてa-Si（アモルファスシリコン）薄膜を使用しています。この構造により、開放電圧は最大750mVに達し、セル効率は26％以上を実現します。 -
エネルギー収量の増加HJTは温度係数に優れており、高温環境下でも高い効率を維持します。左右対称のセル構造により優れた両面受光性能を発揮し、背面からの光も効果的に活用することで、総エネルギー収量をさらに向上させます。 -
劣化率の低下HJT太陽電池は、B-O結合を持たないn型ウェハーを採用しているため、光誘起劣化（LID）が極めて少なくなります。また、セル表面のTCO層は電荷を均一に分布させることで分極を抑え、構造内部での電位誘起劣化（PID）を大幅に低減します。 -
弱光環境での優れた性能HJT技術は、アモルファスシリコン薄膜の特性を活かし、低照度環境でも高い性能を発揮します。さらに、華晟のHJTゼロバスバー技術は、低シェーディング・メタライゼーションを採用しており、弱光条件下におけるエネルギー生成効率を一層高めています。 -
より薄いウェハーを採用HJT太陽電池は、セルの機械的信頼性を損なうことなく、厚さ90μm以下の薄型ウェハーでの製造が可能です。さらに、ゼロバスバーやシングルドセルなどの高度な相互接続技術と組み合わせることで、セル効率のさらなる向上が期待できます。 -
カーボンフットプリントの大幅な抑制華晟のHJTモジュールは、2023年にカーボンフットプリントを366g CO₂ eq/Wまで削減することに成功しました。今後も技術革新と製造プロセスの工業化を進めることで、約300g CO₂ eq/Wまでのさらなる削減を目指しています。
