La cellule solaire HJT représente la prochaine génération de technologie solaire bifaciale avancée. Elle est fabriquée à partir d’une wafer de type n, combinant les avantages du silicium cristallin et des technologies à couches minces dans une structure unique à haute performance. Grâce à l’une des meilleures technologies de passivation disponibles, elle garantit un rendement élevé et une puissance supérieur, même sous des climats chauds.
26.41
%
Rendement record
Type N, 182 mm*105 mm
Format
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4.87-5.01 WGamme de puissance25.5-26.2 %Plage d’efficacitéRendement cellulaire supérieur-
Gettering des wafers combiné à des cellules microcristallines -
Excellent coefficient de température -
LID et PID réduits
Optimisation de la puissance des modules-
Technologie sans barre omnibus combinée à un design demi-cellule -
La structure bifaciale assure une production d’électricité accrue -
Réduction du coût actualisé de l’énergie (LCOE) pour les systèmes solaires HJT
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HJT 3.0Combining gettering process and double-sided uc-Si to maximize cell efficiency and module power.
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