Les modules de la série Everest-G12R de Huasun offrent une puissance de sortie maximale de 669 W et un rendement de pointe de 24,77 %. Disponibles dans une variété de modèles adaptés à différents scénarios d’application, les modules de la série Everest constituent une solution idéale pour les projets à grande échelle, les applications commerciales et industrielles, ainsi que les installations résidentielles.
669 W
Puissance record
24.77%
Rendement record
15ans
Garantie produit
30ans
Garantie de performance
    600-630W
    Plage de puissance de sortie
    22.2-23.3%
    Gamme d’efficacité du module
    Fiabilité supérieure
    • Technologie de découpe de wafers économe en matériaux
    • Encapsulation protectrice renforcée
    • Double vitrage
    • Taux de dégradation réduit
    Production d'électricité accrue
    • Plateforme technologique avancée de cellules microcristallines double face de type n
    • Technologie HJT sans barre omnibus
    • Technologie de film de conversion de la lumière
    • Conception optimisée pour une capacité de conteneur accrue
    500-525W
    Plage de puissance de sortie
    22.5-23.6%
    Gamme d’efficacité du module
    Fiabilité supérieure
    • Technologie de découpe de wafers économe en matériaux
    • Encapsulation protectrice renforcée
    • Double vitrage
    • Taux de dégradation réduit
    Production d'électricité accrue
    • Plateforme technologique avancée de cellules microcristallines double face de type n 210 mm
    • Technologie de cellules HJT sans barre omnibus
    • Technologie de film de conversion de la lumière
    • Conception optimisée pour une capacité de conteneur accrue
    495-520W
    Plage de puissance de sortie
    22.3-23.4%
    Gamme d’efficacité du module
    Fiabilité supérieure
    • Technologie de découpe de wafers économe en matériaux
    • Encapsulation protectrice renforcée
    • Double vitrage
    • Taux de dégradation réduit
    Production d'électricité accrue
    • Plateforme technologique avancée de cellules microcristallines double face de type n 210 mm
    • Technologie de cellules HJT sans barre omnibus
    • Technologie de film de conversion de la lumière
    • Conception optimisée pour une capacité de conteneur accrue
    495-520W
    Plage de puissance de sortie
    22.3-23.4%
    Gamme d’efficacité du module
    Fiabilité supérieure
    • Technologie de découpe de wafers économe en matériaux
    • Encapsulation protectrice renforcée
    • Double vitrage
    • Taux de dégradation réduit
    Production d'électricité accrue
    • Plateforme technologique avancée de cellules microcristallines double face de type n 210 mm
    • Technologie de cellules HJT sans barre omnibus
    • Technologie de film de conversion de la lumière
    • Conception optimisée pour une capacité de conteneur accrue
    505-530W
    Plage de puissance de sortie
    22.7-23.9%
    Gamme d’efficacité du module
    Fiabilité supérieure
    • Technologie de découpe de wafers économe en matériaux
    • Encapsulation protectrice renforcée
    • Double vitrage
    • Taux de dégradation réduit
    Production d'électricité accrue
    • Plateforme technologique avancée de cellules microcristallines double face de type n 210 mm
    • Technologie de cellules HJT sans barre omnibus
    • Technologie de film de conversion de la lumière
    • Conception optimisée pour une capacité de conteneur accrue
    440-465W
    Plage de puissance de sortie
    22.0-23.3%
    Module Eefficiency Range
    Fiabilité supérieure
    • Technologie de découpe de wafers économe en matériaux
    • Encapsulation protectrice renforcée
    • Double vitrage
    • Taux de dégradation réduit
    Production d'électricité accrue
    • Plateforme technologique avancée de cellules microcristallines double face de type n 210 mm
    • Technologie de cellules HJT sans barre omnibus
    • Technologie de film de conversion de la lumière
    • Conception optimisée pour une capacité de conteneur accrue
    435-460W
    Plage de puissance de sortie
    21.8-23.0%
    Gamme d’efficacité du module
    Fiabilité supérieure
    • Technologie de découpe de wafers économe en matériaux
    • Encapsulation protectrice renforcée
    • Double vitrage
    • Taux de dégradation réduit
    Production d'électricité accrue
    • Plateforme technologique avancée de cellules microcristallines double face de type n 210 mm
    • Technologie de cellules HJT sans barre omnibus
    • Technologie de film de conversion de la lumière
    • Conception optimisée pour une capacité de conteneur accrue
    435-460W
    Plage de puissance de sortie
    21.8-23.0%
    Gamme d’efficacité du module
    Fiabilité supérieure
    • Technologie de découpe de wafers économe en matériaux
    • Encapsulation protectrice renforcée
    • Double vitrage
    • Taux de dégradation réduit
    Production d'électricité accrue
    • Plateforme technologique avancée de cellules microcristallines double face de type n 210 mm
    • Technologie de cellules HJT sans barre omnibus
    • Technologie de film de conversion de la lumière
    • Conception optimisée pour une capacité de conteneur accrue
    445-470W
    Plage de puissance de sortie
    22.3-23.5%
    Gamme d’efficacité du module
    Fiabilité supérieure
    • Technologie de découpe de wafers économe en matériaux
    • Encapsulation protectrice renforcée
    • Double vitrage
    • Taux de dégradation réduit
    Production d'électricité accrue
    • Plateforme technologique avancée de cellules microcristallines double face de type n 210 mm
    • Technologie de cellules HJT sans barre omnibus
    • Technologie de film de conversion de la lumière
    • Conception optimisée pour une capacité de conteneur accrue
  • HSN-210R-B132DS
  • HSN-210R-B108DS
  • HSN-210R-B108DSN
  • HSN-210R-B108DSB
  • HSN-210R-S108DSB
  • HSN-210R-B96DS
  • HSN-210R-B96DSN
  • HSN-210R-B96DSB
  • HSN-210R-S96DSB

Informations sur le MODULE

HS-210R-B96-DS
HS-210R-B96-DS
  • Open Circuit Voltage(Voc)
    50.74V

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