Die HJT-Solarzelle repräsentiert eine neue Generation fortschrittlicher bifazialer Solartechnologie. Aus einem n-Typ-Wafer gefertigt, vereint sie die Vorteile der kristallinen Silizium- und Dünnschichttechnologie in einer einzigen, leistungsstarken Struktur. Als eine der effektivsten Zellpassivierungstechnologien auf dem Markt sorgt die HJT dafür, dass Solarzellen auch in heißem Klima eine hohe Effizienz beibehalten und überlegene Leistung liefern.
26.41 %
Erstklassiger Wirkungsgrad
N-Typ, 182 mm*105 mm
Format
    4.87-5.01 W
    Leistungsbereich
    25.5-26.2 %
    Wirkungsgrad-Bereich
    Höherer Zellwirkungsgrad
    • Wafer-Gettering kombiniert mit mikrokristalliner Zelle
    • Exzellenter Temperaturkoeffizient
    • Geringere LID und PID
    Maximierung der Modulleistung
    • Die Null-Busbar-Technologie kombiniert das Halbzellen-Design
    • Die bifaziale Struktur sorgt für eine höhere Stromerzeugung.
    • Niedrigere Stromgestehungskosten (LCOE) bei der Errichtung von HJT-Solarsystemen
  • G12R-0BB HJT-Solarzelle
  • HJT 3.0
    Combining gettering process and double-sided uc-Si to maximize cell efficiency and module power.

ZELLINFORMATION

HS-210R-B96-DS
  • Open Circuit Voltage(Voc)
    50.74V

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