I moduli Huasun G12 ad altissima bifaccialità sono disegnati per installazione verticale, ottimizzando così l’efficienza spaziale poiché necessitano di una superficie di terreno minima rispetto ai tradizionali sistemi inclinati. Questa configurazione elimina il bisogno di modifiche al terreno, preservando l’uso originale della terra e il suo valore economico. Inoltre, le installazioni verticali riducono l’accumulo di polvere e neve, portando ad una più bassa manutenzione e costi operativi nel corso del tempo.
100%
Bifaccialità (Avvicinamento)
768 W
potenza da primato
24.75%
efficienza da primato
15anni
garanzia del prodotto
30anni
garanzia delle prestazioni
    700-720 W
    Gamma di potenza in uscita
    22.5-23.2%
    Gamma di efficienza del modulo
    maggiore affidabilità
    • tecnologia di taglio del Wafer con materiali efficienti
    • incapsulamento protettivo superiore
    • costi operativi di mantenimento molto bassi
    • massima riduzione dell' ingombro
    maggiore produzione di energia
    • tecnologia delle celle HJT zero-busbar
    • tecnologia della pellicola di conversione della luce
    • la bifaccialità si avvicina al 100%
    • generazione di energia a doppio picco
    605-640 W
    Gamma di potenza in uscita
    22.4-23.7%
    Gamma di efficienza del modulo
    maggiore affidabilità
    • tecnologia di taglio del Wafer con materiali efficienti
    • incapsulamento protettivo superiore
    • costi operativi di mantenimento molto bassi
    • massima riduzione dell' ingombro
    maggiore produzione di energia
    • tecnologia delle celle HJT zero-busbar
    • tecnologia della pellicola di conversione della luce
    • la bifaccialità si avvicina al 100%
    • generazione di energia a doppio picco
    545-570 W
    Gamma di potenza in uscita
    21.4-22.3%
    Gamma di efficienza del modulo
    maggiore affidabilità
    • tecnologia di taglio del Wafer con materiali efficienti
    • incapsulamento protettivo superiore
    • costi operativi di mantenimento molto bassi
    • massima riduzione dell' ingombro
    maggiore produzione di energia
    • tecnologia delle celle HJT zero-busbar
    • tecnologia della pellicola di conversione della luce
    • la bifaccialità si avvicina al 100%
    • generazione di energia a doppio picco
    535-560 W
    Gamma di potenza in uscita
    21.1-22.1%
    Gamma di efficienza del modulo
    maggiore affidabilità
    • tecnologia di taglio del Wafer con materiali efficienti
    • incapsulamento protettivo superiore
    • costi operativi di mantenimento molto bassi
    • massima riduzione dell' ingombro
    maggiore produzione di energia
    • tecnologia delle celle HJT zero-busbar
    • tecnologia della pellicola di conversione della luce
    • la bifaccialità si avvicina al 100%
    • generazione di energia a doppio picco
    480-510 W
    Gamma di potenza in uscita
    20.7-22.0%%
    Gamma di efficienza del modulo
    maggiore affidabilità
    • tecnologia di taglio del Wafer con materiali efficienti
    • incapsulamento protettivo superiore
    • costi operativi di mantenimento molto bassi
    • massima riduzione dell' ingombro
    maggiore produzione di energia
    • tecnologia delle celle HJT zero-busbar
    • tecnologia della pellicola di conversione della luce
    • la bifaccialità si avvicina al 100%
    • generazione di energia a doppio picco
    480-500 W
    Gamma di potenza in uscita
    20.9-21.8%
    Gamma di efficienza del modulo
    maggiore affidabilità
    • tecnologia di taglio del Wafer con materiali efficienti
    • incapsulamento protettivo superiore
    • costi operativi di mantenimento molto bassi
    • massima riduzione dell' ingombro
    maggiore produzione di energia
    • tecnologia delle celle HJT zero-busbar
    • tecnologia della pellicola di conversione della luce
    • la bifaccialità si avvicina al 100%
    • generazione di energia a doppio picco
  • HSN-210-B132DSU
  • HSN-210R-B132DSU
  • HSN-210R-B120DSV
  • HSN-210R-B120DNV
  • HSN-210R-B108DSV
  • HSN-210R-B108DNV

Informazioni modulo

HS-210R-B96-DS
HS-210R-B96-DS
  • Open Circuit Voltage(Voc)
    50.74V

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