I moduli della serie Huasun Everest-G12R offrono una potenza di uscita massima di 669 W e un'efficienza di picco del 24,77%. Questi moduli sono disponibili in una gamma di design adatti a vari scenari applicativi, rendendo la serie Everest una soluzione ideale per progetti su larga scala, applicazioni commerciali e industriali, nonché installazioni residenziali.
669 W
potenza da primato
24.77%
efficienza da primato
15anni
garanzia del prodotto
30anni
garanzia delle prestazioni
    600-630W
    Gamma di potenza in uscita
    22.2-23.3%
    Gamma di efficienza del modulo
    maggiore affidabilità
    • tecnologia di taglio del Wafer con materiali efficienti
    • incapsulamento protettivo superiore
    • design a doppio vetro
    • tasso di degradazione inferiore
    maggiore produzione di energia
    • piattaforma di tecnologia avanzata di tipo n celle microcristalline a doppia faccia
    • tecnologia HJT zero-busbar
    • tecnologia della pellicola di conversione della luce
    • design a spazio ottimizzato per una maggiore capacità di contenuto
    500-525W
    Gamma di potenza in uscita
    22.5-23.6%
    Gamma di efficienza del modulo
    maggiore affidabilità
    • tecnologia di taglio del Wafer con materiali efficienti
    • incapsulamento protettivo superiore
    • design a doppio vetro
    • tasso di degradazione inferiore
    maggiore produzione di energia
    • piattaforma tecnologica di tipo n avanzata
      celle microcristalline a doppia faccia da 210mm
    • tecnologia delle celle HJT zero-busbar
    • tecnologia della pellicola di conversione della luce
    • design a spazio ottimizzato per una maggiore capacità di contenuto
    495-520W
    Gamma di potenza in uscita
    22.3-23.4%
    Gamma di efficienza del modulo
    maggiore affidabilità
    • tecnologia di taglio del Wafer con materiali efficienti
    • incapsulamento protettivo superiore
    • design a doppio vetro
    • tasso di degradazione inferiore
    maggiore produzione di energia
    • piattaforma tecnologica di tipo n avanzata
      celle microcristalline a doppia faccia da 210mm
    • tecnologia delle celle HJT zero-busbar
    • tecnologia della pellicola di conversione della luce
    • design a spazio ottimizzato per una maggiore capacità di contenuto
    495-520W
    Gamma di potenza in uscita
    22.3-23.4%
    Gamma di efficienza del modulo
    maggiore affidabilità
    • tecnologia di taglio del Wafer con materiali efficienti
    • incapsulamento protettivo superiore
    • design a doppio vetro
    • tasso di degradazione inferiore
    maggiore produzione di energia
    • piattaforma tecnologica avanzata di tipo n
      celle microcristalline a doppia faccia da 210mm
    • tecnologia delle celle HJT zero-busbar
    • tecnologia della pellicola di conversione della luce
    • design a spazio ottimizzato per una maggiore capacità di contenuto
    505-530W
    Gamma di potenza in uscita
    22.7-23.9%
    Gamma di efficienza del modulo
    maggiore affidabilità
    • tecnologia di taglio del Wafer con materiali efficienti
    • incapsulamento protettivo superiore
    • design a doppio vetro
    • tasso di degradazione inferiore
    maggiore produzione di energia
    • piattaforma tecnologica di tipo n avanzata
      celle microcristalline a doppia faccia da 210mm
    • tecnologia delle celle HJT zero-busbar
    • tecnologia della pellicola di conversione della luce
    • design a spazio ottimizzato per una maggiore capacità di contenuto
    440-465W
    Gamma di potenza in uscita
    22.0-23.3%
    Gamma di efficienza del modulo
    maggiore affidabilità
    • tecnologia di taglio del Wafer con materiali efficienti
    • incapsulamento protettivo superiore
    • design a doppio vetro
    • tasso di degradazione inferiore
    maggiore produzione di energia
    • piattaforma tecnologica di tipo n avanzata
      celle microcristalline a doppia faccia da 210mm
    • tecnologia delle celle HJT zero-busbar
    • tecnologia della pellicola di conversione della luce
    • design a spazio ottimizzato per una maggiore capacità di contenuto
    435-460W
    Gamma di potenza in uscita
    21.8-23.0%
    Gamma di efficienza del modulo
    maggiore affidabilità
    • tecnologia di taglio del Wafer con materiali efficienti
    • incapsulamento protettivo superiore
    • design a doppio vetro
    • tasso di degradazione inferiore
    maggiore produzione di energia
    • piattaforma tecnologica di tipo n avanzata
      celle microcristalline a doppia faccia da 210mm
    • tecnologia delle celle HJT zero-busbar
    • tecnologia della pellicola di conversione della luce
    • design a spazio ottimizzato per una maggiore capacità di contenuto
    435-460W
    Gamma di potenza in uscita
    21.8-23.0%
    Gamma di efficienza del modulo
    maggiore affidabilità
    • tecnologia di taglio del Wafer con materiali efficienti
    • incapsulamento protettivo superiore
    • design a doppio vetro
    • tasso di degradazione inferiore
    maggiore produzione di energia
    • piattaforma tecnologica di tipo n avanzata
      celle microcristalline a doppia faccia da 210mm
    • tecnologia delle celle HJT zero-busbar
    • tecnologia della pellicola di conversione della luce
    • design a spazio ottimizzato per una maggiore capacità di contenuto
    445-470W
    Gamma di potenza in uscita
    22.3-23.5%
    Gamma di efficienza del modulo
    maggiore affidabilità
    • tecnologia di taglio del Wafer con materiali efficienti
    • incapsulamento protettivo superiore
    • design a doppio vetro
    • tasso di degradazione inferiore
    maggiore produzione di energia
    • piattaforma tecnologica di tipo n avanzata
      celle microcristalline a doppia faccia da 210mm
    • tecnologia delle celle HJT zero-busbar
    • tecnologia della pellicola di conversione della luce
    • design a spazio ottimizzato per una maggiore capacità di contenuto
  • HSN-210R-B132DS
  • HSN-210R-B108DS
  • HSN-210R-B108DSN
  • HSN-210R-B108DSB
  • HSN-210R-S108DSB
  • HSN-210R-B96DS
  • HSN-210R-B96DSN
  • HSN-210R-B96DSB
  • HSN-210R-S96DSB

Informazioni modulo

HS-210R-B96-DS
HS-210R-B96-DS
  • Open Circuit Voltage(Voc)
    50.74V

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