Le celle solari con tecnologie ad eterogiunzione rappresentano la prossima generazione di tecnologie solari bifacciali Costruita da una cialda di tipo n, combina i vantaggi del silicio cristallino e di tecnologie a pellicola sottile in un’unica struttura ad alte prestazioni. In quanto una delle tecnologie di passivazione più efficace disponibile, la tecnologia ad eterogiunzione assicura che le celle solari mantengano un’alta efficienza ed emettano una potenza in uscita superiore anche in climi caldi.
26.41 %
efficienza da primato
tipo n, 182 mm*105 mm
Formato
    4.87-5.01 W
    Gamma di potenza
    25.5-26.2 %
    Gamma di efficienza
    efficienza delle celle elevata
    • gettering del wafer combinato con cella microcristallina
    • coefficiente di temperatura eccellente
    • LID e PID più bassi
    massimizzare la potenza del modulo
    • la tecnologia zero-busbar combina il design a mezza cella
    • la struttura bifacciale assicura maggiore produzione di energia
    • LCOE inferiore per la costruzione di un sistema solare HJT
  • Cella solare G12R-0BB HJT
  • HJT 3.0
    Combining gettering process and double-sided uc-Si to maximize cell efficiency and module power.

INFORMAZIONI SULLA CELLA

HS-210R-B96-DS
  • Open Circuit Voltage(Voc)
    50.74V

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