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Os módulos de bifacialidade ultra-alta Huasun G12 foram projetados para instalação vertical, otimizando a eficiência do uso do espaço ao exigir uma área de terreno mínima em comparação com os sistemas inclinados tradicionais. Essa configuração elimina a necessidade de modificações no terreno, preservando seu uso original e valor econômico. Além disso, as instalações verticais reduzem o acúmulo de poeira e neve, o que resulta em menores custos de manutenção e operação ao longo do tempo.
100%
Bifacialidade (Aproximação)
768 W
Potência campeã
24.75%
Eficiência campeã
15anos
Garantia do produto
30anos
Garantia de desempenho
    700-720 W
    Faixa de saída de potência
    22.5-23.2%
    Faixa de eficiência do módulo
    Maior confiabilidade
    • Tecnologia de corte de wafer com eficiência de material
    • Encapsulamento protetor superior
    • Custos operacionais e de manutenção ultrabaixos
    • Redução máxima do espaço ocupado
    Mais geração de energia
    • Tecnologia de célula HJT Zero-busbar
    • Tecnologia em película de conversão de luz
    • Bifacialidade aproximada de 100%
    • Geração de energia de pico duplo
    605-640 W
    Faixa de saída de potência
    22.4-23.7%
    Faixa de eficiência do módulo
    Maior confiabilidade
    • Tecnologia de corte de wafer com eficiência de material
    • Encapsulamento protetor superior
    • Custos operacionais e de manutenção ultrabaixos
    • Redução máxima do espaço ocupado
    Mais geração de energia
    • Tecnologia de célula HJT Zero-busbar
    • Tecnologia em película de conversão de luz
    • Bifacialidade aproximada de 100%
    • Geração de energia de pico duplo
    545-570 W
    Faixa de saída de potência
    21.4-22.3%
    Faixa de eficiência do módulo
    Maior confiabilidade
    • Tecnologia de corte de wafer com eficiência de material
    • Encapsulamento protetor superior
    • Custos operacionais e de manutenção ultrabaixos
    • Redução máxima do espaço ocupado
    Mais geração de energia
    • Tecnologia de célula HJT Zero-busbar
    • Tecnologia em película de conversão de luz
    • Bifacialidade aproximada de 100%
    • Geração de energia de pico duplo
    535-560 W
    Faixa de saída de potência
    21.1-22.1%
    Faixa de eficiência do módulo
    Maior confiabilidade
    • Tecnologia de corte de wafer com eficiência de material
    • Encapsulamento protetor superior
    • Custos operacionais e de manutenção ultrabaixos
    • Redução máxima do espaço ocupado
    Mais geração de energia
    • Tecnologia de célula HJT Zero-busbar
    • Tecnologia em película de conversão de luz
    • Bifacialidade aproximada de 100%
    • Geração de energia de pico duplo
    480-510 W
    Faixa de saída de potência
    20.7-22.0%%
    Faixa de eficiência do módulo
    Maior confiabilidade
    • Tecnologia de corte de wafer com eficiência de material
    • Encapsulamento protetor superior
    • Custos operacionais e de manutenção ultrabaixos
    • Redução máxima do espaço ocupado
    Mais geração de energia
    • Tecnologia de célula HJT Zero-busbar
    • Tecnologia em película de conversão de luz
    • Bifacialidade aproximada de 100%
    • Geração de energia de pico duplo
    480-500 W
    Faixa de saída de potência
    20.9-21.8%
    Faixa de eficiência do módulo
    Maior confiabilidade
    • Tecnologia de corte de wafer com eficiência de material
    • Encapsulamento protetor superior
    • Custos operacionais e de manutenção ultrabaixos
    • Redução máxima do espaço ocupado
    Mais geração de energia
    • Tecnologia de célula HJT Zero-busbar
    • Tecnologia em película de conversão de luz
    • Bifacialidade aproximada de 100%
    • Geração de energia de pico duplo
  • HSN-210-B132DSU
  • HSN-210R-B132DSU
  • HSN-210R-B120DSV
  • HSN-210R-B120DNV
  • HSN-210R-B108DSV
  • HSN-210R-B108DNV

INFORMAÇÕES DO MÓDULO

HS-210R-B96-DS
HS-210R-B96-DS
  • Open Circuit Voltage(Voc)
    50.74V

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